STMicroelectronics STS4DPF30L

Name: STMicroelectronics STS4DPF30L
Brand: STMicroelectronics
SKU: STS4DPF30L

Dual Mosfet, Dual P Channel, -4 A, -30 V, 0.07 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes

Obsolete

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Farnell	STS4DPF30L	0	1		0,665*	0,652*	0,638*	0,599*	0,586*	11h
Microchip USA	STS4DPF30L	2.036	3500	Tray					0,474	3h
Win Source	WS-STS4DPF30L	46.300	205					0,225	0,188	12h
Worldway Electronics	STS4DPF30L	22.471	7	Tape & Reel		0,039	0,038	0,036	0,036	11h
GreenTree Electronics	STS4DPF30L	2.500								8h

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Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren

Factory Futures

Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STS4DPF30L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Dual Mosfet, Dual P Channel, -4 A, -30 V, 0.07 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes

Newark

Dual P-Channel 30 V 0.08 Ohm Surface Mount STripFET MosFet - SOIC-8

Future Electronics

DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 OHM - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET

STMicroelectronics

MOSFET, Power, Dual P-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 0.07Ohm, ID 4A, SO-8,PD 2W, VGS+/-16V,-55C

RS (Formerly Allied Electronics)

Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 30V 4A 8-Pin SO N T/R

Avnet

MOSFET, PP CH, 30V, 4A, 8SOIC; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -4A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.07ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Po

Farnell

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOIC

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)4 A

Current Rating-4 A

Drain to Source Resistance100 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time35 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)16 V

Input Capacitance1.35 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingCut Tape

Power Dissipation2 W

Rds On Max80 mΩ

Resistance80 mΩ

Rise Time35 ns

Threshold Voltage1 V

Turn-Off Delay Time125 ns

Turn-On Delay Time25 ns

Voltage Rating (DC)-30 V

Dimensions

Height1.25 mm

Length5 mm

Width4 mm

Datenblätter und Dokumente

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