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Infineon IRF3808SPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 5.9MILLIOHMS; Id 106A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-2
$ 3.63
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet13 SeitenVor 12 Jahren

element14 APAC

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

Alternative Teile

Price @ 1000
$ 3.63
$ 1.329
$ 1.329
Stock
50,492
1,675,962
1,675,962
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
4 V
Rds On Max
7 mΩ
7 mΩ
7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
200 W
200 W
200 W
Input Capacitance
5.31 nF
5.31 nF
5.31 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Verwandte Teile

Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078Ω, Id = 100A⑥) | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
STMicroelectronicsSTB140NF75T4
STMicroelectronics N-Channel MOSFET STripFET F3, Vds=75V, 120A, D2PAK (TO-263), SMD, 3-Pin
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
InfineonIRF3205SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB150NF55T4
N-CHANNEL 55V - 0.005 OHM -120A D2PAK STripFET II MOSFET
STMicroelectronicsSTB80NF55-06T4
STMicroelectronics N-Channel MOSFET, Vds=55V, 80A, D2PAK (TO-263), SMD, 3-Pin

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF3808SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 5.9Milliohms;ID 106A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-2
MOSFET 200W(Tc) 20V 4V@250µA 220nC@10V N-Ch 75V 7mΩ@82A,10V 106A 5.31nF@25V D2PAK SMD
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:106A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Avalanche Single Pulse Energy Eas:430mJ; Capacitance Ciss Typ:5310pF; Current Id Max:106A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulse Current Idm:550A; Reverse Recovery Time trr Typ:93ns; SMD Marking:F3808; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001570146