Infineon IRF3205STRLPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 110A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-20V
$ 0.745
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF3205STRLPBF herunter.

Newark

Datasheet11 SeitenVor 22 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 23 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 23 Jahren

IHS

Burklin Elektronik

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-6.88%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRF3205STRLPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRF3205SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
InfineonIRF1010NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
InfineonIRF1404ZSPBF
Single N-Channel 40 V 3.7 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
STMicroelectronicsSTB200NF04T4
STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF3205STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
Single N-Channel 55V 8 mOhm 146 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 55 V, 110 A, TO-263, IRF3205STRLPBF
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:200W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF3205STRLPBF.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF3205STRLPBF.
  • SP001576758