Infineon IRF3205SPBF

Name: Infineon IRF3205SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF3205SPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 110A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-20V

$ 2.76

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF3205SPBF	0	550	Bulk				2,760	1,630	21h
Farnell	IRF3205SPBF	0	5			1,063*	0,928*	0,767*	0,740*	1d
Win Source	WS-IRF3205SPBF	361.820	115					0,404	0,404	5h
Worldway Electronics	IRF3205SPBF	18.207	7	Tube		0,140	0,136	0,129	0,129	4h
IC Components Ltd.	IRF3205SPBF	13.533			8,310	8,310	8,310	8,310	8,310	2d

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Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet11 SeitenVor 22 Jahren

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-11-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF3205SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Verical

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 200 W

Distrelec

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:110A; On Resistance, Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 55V, 110A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:98A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:110A; Current Temperature:25°C; External Depth:15.49mm; External Length / Height:4.69mm; External Width:10.54mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.7W; Pulse Current Idm:390A; SMD Marking:IRF3205S; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRF3205SPBF.
SP001576776

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Current Rating110 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance8 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Dual Supply Voltage55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time65 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance3.247 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation200 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance8 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation200 W

Rds On Max8 mΩ

Recovery Time104 ns

Resistance8 MΩ

Rise Time101 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time50 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.668 mm

Width10.54 mm