Infineon IRF3805STRL-7PP
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | IRF3805STRL-7PP | 0 | 1 | Cut Tape | 14h | |||||||
| Microchip USA | IRF3805STRL-7PP | 2.275 | 600 | 8h | ||||||||
| Component Stockers USA | IRF3805STRL-7PP | 21.048 | 2d | |||||||||
| Win Source | WS-IRF3805STRL-7PP | 20 | 7 | 15h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF3805STRL-7PP | 18.787 | 7 | Tape & Reel | 14h |
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Price @ 1000
$ 5.51
Stock
171,336
51,028
Authorized Distributors
1
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-7
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
160 A
Threshold Voltage
-
2 V
Rds On Max
2.6 mΩ
2.6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
7.82 nF
7.82 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
InfineonAUIRF3805S-7TRL
MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET / Trans MOSFET N-CH Si 55V 240A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
InfineonIRFS7534TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH260N6F6-6
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
STMicroelectronicsSTH265N6F6-6AG
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF3805STRL-7PP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK / N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Lead D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
IRF3805S Series 55 V 160 A 300 W SMT HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Trans MOSFET N-CH Si 55V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N CH MOSFET, HEXFET, 55V 160A, D2PAK-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:7;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.6 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max2.6 mΩ
Rise Time130 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen