Infineon IRFS7534TRLPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Verwandte Teile
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STMicroelectronicsSTH265N6F6-6AG
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS7534TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK N-Channel 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60V 2.4 mOhm 186 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, 60V,195A, 2.4mOhm, 186nC, D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time93 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.034 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation294 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.4 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation294 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time134 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time118 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen