Infineon AUIRF3805S-7P
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTH250N55F3-6
N-channel 55 V, 2.2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III Power MOSFET
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MOSFET, N-CH, 60V, 293A, D2PAK-7P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
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Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package, D2PAK7P, RoHS
VishaySQM200N04-1M1L-GE3
SQM200N04-1M1L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 200 A, 40 V, 7-PIN TO-263
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF3805S-7P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 240A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
MOSFET,N CH,55V,160A,D2PAK7; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:300W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Braking
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.6 mΩ
Package Quantity50
Power Dissipation300 W
Rds On Max2.6 mΩ
Rise Time130 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height4.55 mm
Length10.35 mm
Width10.05 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen