STMicroelectronics STB141NF55
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.008Ohm;ID 104A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-16V
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB141NF55, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-CH 55V 80A 8mOhm D2PAK
Power MOSFETs, 55V, 80A, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC CPLD 192MC 4.7NS 100TQFP
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time125 ns