STMicroelectronics STB200NF04T4
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-09
LTD Date2019-02-09
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB100NF04T4
N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A StripFET II Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIRF1404ZSTRLPBF
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF1404ZSPBF
STMicroelectronicsSTB85NF3LLT4
N-Channel 30V - 0.006Ohm - 85A - D2PAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB200NF04T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
N-Channel 40 V 3.7 mOhm Surface Mount STripFET II Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating120 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation310 W
Rds On Max3.7 mΩ
Resistance3.7 MΩ
Rise Time320 ns
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant