Infineon IRF100S201
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | IRF100S201 | 0 | 1 | Cut Tape | 15h | |||||||
| Component Stockers USA | IRF100S201 | 19.825 | 6d | |||||||||
| Win Source | WS-IRF100S201 | 9.195 | 11 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF100S201 | 10.201 | 7 | Tape & Reel | 17h | |||||||
| GreenTree Electronics | IRF100S201 | 800 | 13h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -52.35%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF100S201 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRF100S201 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFS7734TRLPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH180N10F3-2
N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonAUIRLS4030
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK / N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
STMicroelectronicsSTH185N10F3-2
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTH240N10F7-2
N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF100S201, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 4.2 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Transistor MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin TO-263AB T/R
Power Field-Effect Transistor, 192A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Mosfet, N-Ch, 100V, 192A, To-263Ab; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:192A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0035Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF100S201
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -52.35%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)192 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation441 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.2 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation441 W
Rds On Max4.2 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF100S201 herunter.