Infineon AUIRLS4030
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1
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6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
180 A
180 A
180 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
4.3 mΩ
4.3 mΩ
4.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
370 W
370 W
370 W
Input Capacitance
11.36 nF
11.36 nF
11.36 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
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N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STMicroelectronicsSTH315N10F7-2
Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRLS4030, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK / N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Transistor MOSFET N-ch 100V 130A D2PAK
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:370W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Exhaust
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time170 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance11.36 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation370 W
Rds On Max4.3 mΩ
Rise Time330 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time74 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen