Infineon IPP045N10N3GXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP037N08N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Through Hole
STMicroelectronicsSTP165N10F4
N-channel 100 V, 4.1 mΩ, 160 A TO-220, H²PAK STripFET͐2;2; DeepGATE͐2;2; Power MOSFET
STMicroelectronicsSTP140N8F7
N-channel 80 V, 3.5 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP034N08N5AKSA1
Mosfet, N-Ch, 80V, 175Deg C, 167W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPP034N08N5AKSA1
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP045N10N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V 100A 4.5m´Î@10V100A 214W 3.5V@150Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
100 A 100 V 0.0045 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:100A; On Resistance Rds(On):0.0039Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V Rohs Compliant: Yes
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 137 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 4.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 14 / Rise Time ns = 59 / Turn-OFF Delay Time ns = 48 / Turn-ON Delay Time ns = 27 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 214
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.32 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation214 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time59 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen