STMicroelectronics STP165N10F4
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
Keine Daten verfügbar
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STP165N10F4 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STP165N10F4 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2022-04-02
LTD Date2022-10-02
Verwandte Teile
InfineonIPP045N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP06CN10LG
N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
STMicroelectronicsSTP160N75F3
N-channel 75 V, 3.5 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP120NF10
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP165N10F4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 4.1 mΩ, 160 A TO-220, H²PAK STripFET͐2;2; DeepGATE͐2;2; Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
120 A 100 V 0.0051 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Keine Daten verfügbar
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance5.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time106 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation315 W
Rds On Max5.5 mΩ
Resistance5.5 MΩ
Rise Time62 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time154 ns
Turn-On Delay Time29.6 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STP165N10F4 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant