STMicroelectronics STP140N8F7
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
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MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP140N8F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 80 V, 3.5 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 4.3 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
STP140N8F7 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 90 A, 80 V, 3-PIN TO-220
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel 80 V 4.3 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFET H7series, Vds=80 V, 90 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
Mosfet, N-Ch, 80V, 90A, 200W, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(On):0.0035Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP140N8F7
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.34 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation200 W
Rds On Max4.3 mΩ
Rise Time51 ns
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant