Infineon IPP037N08N3GXKSA1
$ 1.199
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -18.49%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPP037N08N3GXKSA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IPP037N08N3GXKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-06-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP034N08N5AKSA1
Mosfet, N-Ch, 80V, 175Deg C, 167W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPP034N08N5AKSA1
InfineonIPP027N08N5AKSA1
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPP032N06N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Through Hole
STMicroelectronicsSTP140N8F7
N-channel 80 V, 3.5 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP037N08N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Through Hole
TRANSISTOR, OPTIMOS 3 POWER, N-CHANNEL, NORMAL LEVEL, 80V, 100A, TO220
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin TO-220 Tube
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.00375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
tested; Pb-free plating; RoHS compliant | Target Applications: Solar; Consumer; Telecom; Server; PC power; DC-DC; AC-DC; Adapter; SMPS; LED; Motor control
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.8V; Power Dissipation:214W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 100 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 80 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.75 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 14 / Rise Time ns = 79 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 23 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 214
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -18.49%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance3.75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.1 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance3.75 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation214 W
Rds On Max3.75 mΩ
Rise Time79 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPP037N08N3GXKSA1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen