Infineon IPP028N08N3GXKSA1
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39
Authorized Distributors
6
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
80 V
Continuous Drain Current (ID)
100 A
100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
2.8 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
10.7 nF
-
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-01-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP028N08N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
300W 20V 155nC@ 10V 1N 80V 2.8m¦¸@ 10V 100A 10.7nF@ 40V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
100 A 80 V 0.0028 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 100A, 80V, PG-TO220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):2.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance2.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.7 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2.8 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation300 W
Rds On Max2.8 mΩ
Rise Time73 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time86 ns
Turn-On Delay Time28 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen