STMicroelectronics STP260N6F6
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-04-02
LTD Date2022-10-02
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP210N75F6
N-channel 75 V, 3 mOhm, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP032N06N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Through Hole
InfineonIPP024N06N3GXKSA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 / N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP040N06N3GXKSA1
188W(Tc) 20V 4V@ 90¦ÌA 98nC@ 10 V 1N 60V 4m¦¸@ 90A,10V 11nF@30V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP260N6F6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STP260N6F6 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 60 V, 4-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET, N CH, 60V, 120A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Pow
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time62.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max3 mΩ
Resistance3 MΩ
Rise Time165 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time144.4 ns
Turn-On Delay Time31.4 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant