Infineon IPI60R299CPXKSA1
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI18N65M2
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPI60R299CPXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET, N, TO-262; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:11A; On State Resistance:0.299ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case ;RoHS Compliant: Yes
CoolMOS CP, Infineon's fifth series of CoolMOS, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. | Summary of Features: Lowest figure of merit R on x Q g; Ultra low gate charge; Extreme dv/dt rate; Ultra low R DS(on), ultra low gate charge, very fast switching; V th 3 V, g fs very high, internal R g very low; High current capability; Significant reduction of conduction and switching losses; High power density and efficiency for superior power conversion systems; Best-in-class price/performance ratio | Target Applications: Solar; Server; Telecom; Consumer; Adapter; PC power
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Resistance299 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation96 W
Rds On Max299 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)650 V
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen