STMicroelectronics STI14NM50N
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI15N65M5
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTFI20NM65N
N-channel 650 V, 0.25 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI14NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin TO-262 Tube
MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
I2PAK MOSFET 500V 0.32OHM
new, original packaged
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance320 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance816 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max320 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time10.2 ns
Datenblätter und Dokumente
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