STMicroelectronics STI18N65M2
$ 1.228
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STI18N65M2 | 98 | 1 | 15h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STI18N65M2 | 0 | 1 | Bulk | 6h | |||||||
| Future Electronics | STI18N65M2 | 0 | 1K | Tube | ||||||||
| Avnet | STI18N65M2 | 0 | 1K | 3d | ||||||||
| Win Source | WS-STI18N65M2 | 2.380 | 35 | 18h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTFI15N65M5
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
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STMicroelectronicsSTI13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI18N65M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STI18N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 650 V, 3-PIN I2PAK
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STI18N65M2
110W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 20nC@ 10 V 1N 650V 330m¦¸@ 6A,10V 12A 770pF@100V I2PAK 10mm*4.4mm*8.95mm
Power MOSFETs, 650V, 12A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance330 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Number of Elements1
Rds On Max330 mΩ
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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