Infineon IPI100N10S305AKSA1
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Stock
137,142
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Authorized Distributors
1
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-262-3
TO-262-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
100 A
100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
5.1 mΩ
5.1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
11.57 nF
11.57 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-03-15
LTD Date2020-09-15
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI150N10F7
N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in I2PAK package
InfineonIPP100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 / N-Channel 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPI100N10S305AKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V, N-Ch, 5.1 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO262-3-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
IPI100N10 75V-100V N-CHANNEL AUTOMOTIVE;
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance5.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.57 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5.1 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation300 W
Rds On Max5.1 mΩ
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time34 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen