STMicroelectronics STB60NF10-1
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPI100N10S305AKSA1
100V, N-Ch, 5.1 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO262-3-3, RoHS
InfineonIPP100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 / N-Channel 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Rochester ElectronicsIPP70N10SL16AKSA1
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
onsemiHUF75545S3
75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB60NF10-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET Transistors N Ch 100V 0.019Ohm 80A
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
CAP CER 0.068UF 50V C0G 1210
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.27 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max23 mΩ
Rise Time56 ns
Turn-Off Delay Time82 ns
Datenblätter und Dokumente
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