Infineon IPD90N10S406ATMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD068N10N3GATMA1
150W 20V 2.7V 51nC N MOSFET 100V 6.8m¦¸@ 10V 90£¨Tc=25¡ãC£©,72£¨Tc=100¡ãC£© 3.69nF@ 50V TO-252
STMicroelectronicsSTD105N10F7AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
onsemiFDD86367-F085
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD90N10S406ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V, N-Ch, 6.7 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Channel, 100V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N10S406ATMA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 90A, TO-252;
Infineon NMOS, Vds=100 V, 90 A, DPAK (TO-252), , 3
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
32BIT MCU RX72TH 512K LQFP100 -4
100V 90A 6.7 mOhm N-ch DPAK, OptiMOS-T2
Summary of Features: N-channel - Normal Level - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Resistance6.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance4.87 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation136 W
Rds On Max6.7 mΩ
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen