Infineon IPD068N10N3GATMA1

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$ 0.954
NRND
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPD068N10N3GATMA11865Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPD068N10N3GATMA19.7401
Future Electronics
2
IPD068N10N3GATMA12.5002500Tape & Reel
Rochester ElectronicsIPD068N10N3GATMA113.251
23h
DigiKey
3
IPD068N10N3GATMA1CT-ND6.7171Cut Tape

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 11 Jahren

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iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-21
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31

Verwandte Teile

InfineonIPD90N10S4L06ATMA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N10S4L06ATMA1
Details
InfineonIPD082N10N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Details
STMicroelectronicsSTD105N10F7AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Details
InfineonIPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Details
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Details
onsemiFDD86367-F085
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD068N10N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

150W 20V 2.7V 51nC N MOSFET 100V 6.8m¦¸@ 10V 90£¨Tc=25¡ãC£©,72£¨Tc=100¡ãC£© 3.69nF@ 50V TO-252
Unikeyic (ICkey)
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Semicontronic
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
MOSFET, N-CH, 100V, 90A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0057ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V;
element14 APAC

Bilder

RS
iiiC
Augswan
RS APAC
Future Electronics
LZChips
LCSC
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD068N10N3 G
  • IPD068N10N3-G
  • IPD068N10N3G
  • IPD068N10N3GBTMA1
  • SP000469892
  • SP001127816