Infineon IPD60R1K0CEATMA1
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.288
Stock
83,015
18,531,920
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
6.8 A
6.8 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1 Ω
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
61 W
37 W
Input Capacitance
280 pF
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-03-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Verwandte Teile
InfineonIPD60R1K5CEATMA1
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 0.047uF 25volt X7R +/-5%
InfineonIPD60R1K4C6ATMA1
28.4W(Tc) 20V 3.5V@ 90¦ÌA 9.4nC@ 10 V 1N 600V 1.4¦¸@ 1.1A,10V 3.2A 200pF@100V TO-252 2.56mm
onsemiSSR1N60BTM-WS
Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD60R1K0CEATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 600 V 4.3 A 1000 mO 13 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance280 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation61 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation61 W
Rds On Max1 Ω
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.55 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen