Infineon IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L Series 100 V 60 A OptiMOSTM-T2 Power-Transistor - PG-TO-252-3-313
$ 0.631
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPD60N10S4L12ATMA1 herunter.

IHS

Datasheet9 SeitenVor 14 Jahren

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+19.30%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPD60N10S4L12ATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

100V, N-Ch, 11.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
TAPE AND REEL / MOSFET, 100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, D-Pak
InfineonIRLR3110ZPBF
Single N-Channel 100 V 14 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
STMicroelectronicsSTD85N10F7AG
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diodes Inc.DMNH10H028SK3-13
MOSFET N-CH 100V 55A TO252 / N-Channel 100 V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3
N-Channel MOSFET, UltraFET® Trench, 100V, 44A, 28mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD60N10S4L12ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IPD60N10S4L Series 100 V 60 A OptiMOSTM-T2 Power-Transistor - PG-TO-252-3-313
100V, N-Ch, 12 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, 175Deg C, 94W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:60A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.6V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD60N10S4L-12
  • IPD60N10S4L12
  • SP000866550