onsemi FDD3672-F085
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-03-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFR3410TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
InfineonIRFR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
InfineonIRFR3411TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 36Milliohms;ID 32A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
VishaySUD50P10-43L-GE3
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD3672-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel MOSFET, UltraFET® Trench, 100V, 44A, 28mΩ
Trans MOSFET N-CH 100V 44A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
100V, 44A, 24mΩ, DPAK N-Channel UltraFET® Trench, TO-252 3L (DPAK), 5000-TAPE REEL
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Nmos Dpak 100V 28 Mohm/Reel |Onsemi FDD3672-F085
FDD3672_F085 Fairchild/ON Semiconductor
144W(Tc) 20V 4V@ 250µA 36nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 47mΩ@ 21A,6V 44A 1.635nF@25V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
FDD3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TRE
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)44 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.635 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation144 W
Rds On Max47 mΩ
Rise Time37 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen