Diodes Inc. DMNH10H028SK3-13
$ 0.775
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMNH10H028SK3-13 | 0 | 2500 | 12h | ||||||||
| Avnet | DMNH10H028SK3-13 | 0 | 2500 | 21h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMNH10H028SK3-13 | 0 | 2500 | |||||||||
| Mouser | 621-DMNH10H028SK3-13 | 2.465 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | DMNH10H028SK3-13 | 58.502 | 3d |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. DMNH10H028SK3-13 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Diodes Inc. DMNH10H028SK3-13 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-10-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD122N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD60N10S412ATMA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
InfineonIRFR2407TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 0.0218Ohm;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
STMicroelectronicsSTD47N10F7AG
Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMNH10H028SK3-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 100V 55A TO252 / N-Channel 100 V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 100 V, RoHS
Diodes Inc SCT
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W
2W(Ta) 20V 3.3V@ 250¦ÌA 36nC@ 10 V 1N 100V 28m¦¸@ 20A,10V 55A 2.245nF@50V TO-252-3 6.58mm*6.1mm*2.29mm
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance2.245 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.7 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max28 mΩ
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. DMNH10H028SK3-13 herunter.