Infineon IRLR3110ZPBF
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1
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
-
Rds On Max
14 mΩ
14 mΩ
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.98 nF
3.98 nF
3.98 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-01-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
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MOSFET N-CH 100V 42A DPAK N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Beschreibungen
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MOSFET N-CH 100V 42A DPAK N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Single N-Channel 100 V 14 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube / MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N, 100V, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:3110; Current Id Max:42A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:250A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:16V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.98 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance14 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation140 W
Rds On Max14 mΩ
Recovery Time51 ns
Resistance14 MΩ
Rise Time110 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen