Infineon IPD30N10S3L34ATMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V
$ 0.641
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPD30N10S3L34ATMA1 herunter.

IHS

Datasheet9 SeitenVor 14 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 2 Jahren

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-18.57%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPD30N10S3L34ATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2024-01-15
LTD Date2025-01-15

Verwandte Teile

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
InfineonIRFR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 36Milliohms;ID 32A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
STMicroelectronicsSTD30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
N-Channel Logic Level Power MOSFET 100V, 25A, 50mΩ Automotive Power MOSFET 100V Logic Level
STMicroelectronicsSTD20NF10T4
N-channel 100 V, 0.038 Ohm typ., 25 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD30N10S3L34ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS-T Power-Transistor
100V, N-Ch, 31 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
OPTIMOS-T POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.0418ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB
MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0258oh; Available until stocks are exhausted Alternative available
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD30N10S3L-34
  • IPD30N10S3L34
  • SP000261248