onsemi NVD6495NLT4G
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFR3410TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
InfineonIRFR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
STMicroelectronicsSTD20NF10T4
N-channel 100 V, 0.038 Ohm typ., 25 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVD6495NLT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Logic Level Power MOSFET 100V, 25A, 50mΩ Automotive Power MOSFET 100V Logic Level
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK / N-Channel 100 V 25A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Nfet Dpak 100V 23A 56Mohm / Reel
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
RES SMD 19.6K OHM 1% 1/16W 0402
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance54 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time71 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.024 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max50 mΩ
Rise Time91 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen