Vishay SIHB22N65E-GE3
$ 2.531
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SIHB22N65E-GE3 | 0 | 1 | 18h | ||||||||
| Avnet | SIHB22N65E-GE3 | 0 | 1K | 20h | ||||||||
| TTI Europe | SIHB22N65E-GE3 | 0 | 1K | Tube | 22h | |||||||
| Arrow Electronics | SIHB22N65E-GE3 | 0 | 1K | |||||||||
| Farnell | SIHB22N65E-GE3 | 0 | 1 | 5h |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
InfineonSPB17N80C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 17 A, 290 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
InfineonIPB50R140CPATMA1
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
VishaySIHB6N65E-GE3
Single N-Channel 700 V 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIHB22N65E-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
MOSFET, N CH, 650V, 22A, TO-263-3
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 650V, 22A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 22A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Powe
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)4 V
Input Capacitance2.415 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation227 W
Rds On Max180 mΩ
Rise Time33 ns
Turn-Off Delay Time73 ns
Datenblätter und Dokumente
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