Infineon IPB100N06S3-04
$ 0.888
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-01-31
LTD Date2011-07-31
Verwandte Teile
InfineonIPB029N06N3GATMA1
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB100N06S3-04, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
TO263-3/AUTOMOTIVE MOS TRANSISTO
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Current Rating100 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance4.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time62 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance14.23 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation214 W
Rds On Max4.1 mΩ
Rise Time62 ns
Turn-Off Delay Time62 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen