onsemi FDB8441

Name: onsemi FDB8441
Brand: onsemi
SKU: FDB8441

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

$ 1.984

EOL

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	FDB8441	800	414					1,959	1,928	4d
DigiKey	FDB8441CT-ND	783	1	Cut Tape	4,300	2,840	2,009	2,009	2,009
Flip Electronics	FDB8441	2.400								6d
element14 APAC	FDB8441	0	1		1,662*	1,662*	1,607*	1,537*	1,482*	8h
Farnell	FDB8441	0	1		1,660*	1,660*	1,607*	1,540*	1,486*	13h

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 20 Jahren

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onsemi

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2006-09-20

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)

LTB Date2022-12-30

LTD Date2023-06-30

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDB8441, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 2.5mΩ

onsemi

N-Channel 40 V 120 A 2.5 mohm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - TO-263AB

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:28A; On Resistance, Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:2.8V; Threshold Voltage, Vgs Typ:20V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-263; Capacitance Ciss Typ:15000pF; Current Id Max:28A; Fall Time tf:17.9ns; Junction Temperature Tj Max:175°C; No. of Transistors:1; Package / Case:D2-PAK; Pin Format:G,D,S; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300W; Pulse Current Idm:70A; Reverse Recovery Time trr Typ:52ns; Rise Time:24ns; SMD Marking:FDB8441; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-263

MountSurface Mount

Number of Pins2

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)28 A

Current Rating80 A

Drain to Source Breakdown Voltage40 V

Drain to Source Resistance2.5 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Dual Supply Voltage40 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time17.9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance15 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation300 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2.8 V

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation300 W

Rds On Max2.5 mΩ

Resistance2.5 MΩ

Reverse Recovery Time52 ns

Rise Time24 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage2.8 V

Turn-Off Delay Time75 ns

Turn-On Delay Time23 ns

Voltage Rating (DC)40 V

Dimensions

Height5.08 mm

Length10.67 mm

Width9.65 mm

Datenblätter und Dokumente

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