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Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB023N04N G herunter.
Offizielles DatenblattVor 1 Jahre
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-02-28
LTD Date2013-08-31
Verwandte Teile
InfineonIPB011N04NGATMA1
TRANSISTOR, OPTIMOS 3 POWER MOSFET, N-CHANNEL, NORMAL LEVEL, 40V, 180A, TO263-7
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB023N04N G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
MOSFET, N CH, 90A, 40V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:167W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:90A; Power Dissipation Pd:167W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation167 W
Rds On Max2.3 mΩ
Rise Time6.6 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 1 Jahre
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen