Infineon IPB034N06N3GATMA2
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Power MOSFET, P Channel, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Beschreibungen
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N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Transistor MOSFET N-Channel 60V 100A 7-Pin TO-263 T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-7
167W(Tc) 20V 4V@ 93µA 130nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 3.4mΩ@ 100A,10V 100A 11nF@30V TO-263 SMD mount 10mm*9.25mm*4.4mm
MOSFET, N CH, 100A, 60V, PG-TO263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:167W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:167W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
OptiMOS™ power MOSFET 60V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition, these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation167 W
Rds On Max3.4 mΩ
Rise Time161 ns
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time38 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen