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0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
InfineonIPB22N03S4L15ATMA1
30V, N-Ch, 14.6 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDB6690S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30V/20V, 15.5/23MO, NCH, SINGLE, TO263, 500A GOX, PTI
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
This MOSFET is designed to replace a single MOSFET and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDP 6690S includes an integrated Schottky diode using Fairchild's monolithic SyncFET technology. The performance of the FDP 6690S/FDB6690S as the low -side switch in a synchronous rectifier is indistinguishable from the performance of the FDP 6035AL/FDB6035AL in parallel with a Schottky diode.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating21 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance15.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.238 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation48 W
Rds On Max15.5 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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