Infineon IPB011N04NGATMA1

Transistor, Optimos 3 Power Mosfet, N-channel, Normal Level, 40V, 180A, TO263-7
$ 1.77
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPB011N04NGATMA111.277
23h
RS (Formerly Allied Electronics)IPB011N04N G01KBulk
15h
FarnellIPB011N04NGATMA161
19h
Mouser726-IPB011N04NG71Tape & Reel
VericalIPB011N04NGATMA1198193

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 15 Jahren

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iiiC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-12-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Verwandte Teile

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InfineonIPB075N04L G
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPB011N04NGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TRANSISTOR, OPTIMOS 3 POWER MOSFET, N-CHANNEL, NORMAL LEVEL, 40V, 180A, TO263-7
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Fly-Wing Technology
250W 20V 4V 188nC@ 10V 1N 40V 1.1m¦¸@ 10V 180A 16nF@ 20V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm
UnikeyIC
180 A 40 V 0.0011 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Component Stockers USA
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
N-CH 40V 180A 2mOhm TO263-3 RoHSconf
Rutronik
OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
Infineon
MOSFET, N CH, 180A, 40V, PG-TO263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):850µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:180A; Power Dissipation Pd:250W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Bilder

RS
RS
TME
Future Electronics
iiiC
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPB011N04N G
  • IPB011N04NG
  • IPB011N04NGATMA1.
  • SP000388298