onsemi FDB8860

Name: onsemi FDB8860
Brand: onsemi
SKU: FDB8860

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 30V, 80A, 2.6mOhm | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

$ 0.864

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	7	FDB8860	567	197					1,713	1,613
Arrow Electronics		FDB8860	4	1		0,357	0,357	0,357	0,357	0,357
Rochester Electronics	2	FDB8860	10.818					1,530	1,370	1,290	1d
Farnell	2	FDB8860..	0	1	Cut Tape	3,213*	2,420*	1,936*	1,385*	1,385*	1h
element14 APAC	2	FDB8860..	0	1	Cut Tape	4,091*	2,855*	2,307*	2,010*	2,010*	1d

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element14 APAC

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Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

IHS

onsemi

Farnell

iiiC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2006-01-31

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDB8860, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 30V, 80A, 2.6mOhm | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Win Source

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,80A I(D),TO-263AB

Newark

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 31A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power Dissipatio

Farnell

Bilder

Farnell

Future Electronics

Rochester Electronics

iiiC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDB8860.
FDB8860..

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-263

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)31 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance2.7 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time49 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance12.585 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation306 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation254 W

Rds On Max2.3 mΩ

Rise Time213 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1.7 V

Turn-Off Delay Time79 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Dimensions

Height4.83 mm

Length10.67 mm