Infineon IGP30N65H5XKSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
$ 0.979
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIGP30N65H5XKSA17.340
15h
AvnetIGP30N65H5XKSA10500
4d
FarnellIGP30N65H5XKSA10500
15h
Verical
3
IGP30N65H5XKSA1280255
Component Stockers USAIGP30N65H5XKSA14.894
7d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IGP30N65H5XKSA1 herunter.

TME

Datasheet14 SeitenVor 0 Jahren

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-24.24%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IGP30N65H5XKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15

Verwandte Teile

InfineonIGP30N65F5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Details
InfineonIKP30N65H5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Details
InfineonIKP20N65H5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Details
STMicroelectronicsSTGP30M65DF2
STGP30M65DF2: 650 V 60 A 258 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220AB
Details
STMicroelectronicsSTGP10M65DF2
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
Details
STMicroelectronicsSTGP19NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IGP30N65H5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IHS
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Verical
188W 1.65V 650V 55mA TO-220 , 10mm*440cm*9.25mm
UnikeyIC
IGP40N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT
DigiKey Marketplace
Infineon’s new TRENCHSTOP™5 IGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.
Infineon
Igbt, Single, 650V, 55A, To-220; Dc Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.65V; Power Dissipation Pd:188W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:To-220; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Infineon IGP30N65H5XKSA1
Newark

Bilder

Augswan
element14 APAC
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IGP30N65H5
  • SP001037772