Infineon IKP20N65H5XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15
Verwandte Teile
InfineonIKP20N65F5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
InfineonIKP15N65H5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTGP20V60DF
IGBT 600V 40A 167W TO220AB / IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 167 W Through Hole TO-220
STMicroelectronicsSTGP30M65DF2
STGP30M65DF2: 650 V 60 A 258 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220AB
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKP20N65H5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
High Speed 650 V, 20 A hard-switching IGBT TRENCHSTOPTM 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-220 package, is defined as "best-in-class" IGBT.
IGBT, SINGLE, 650V, 42A, TO-220; DC Collector Current: 42A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.65V; Power Dissipation Pd: 125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins
Igbt, Single, 650V, 42A, To-220; Continuous Collector Current:42A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:125W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKP20N65H5XKSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -15.56%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current42 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity500
Power Dissipation125 W
Reverse Recovery Time52 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen