Infineon IKP30N65H5XKSA1
$ 1.396
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IKP30N65H5XKSA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IKP30N65H5XKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15
Verwandte Teile
InfineonIGP30N65H5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
InfineonIKP20N65H5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTGP30M65DF2
STGP30M65DF2: 650 V 60 A 258 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220AB
STMicroelectronicsSTGP30V60DF
IGBT 600V 60A 258W TO220AB / IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 258 W Through Hole TO-220
STMicroelectronicsSTGP20V60DF
IGBT 600V 40A 167W TO220AB / IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 167 W Through Hole TO-220
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKP30N65H5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
High Speed 650 V, 30 A TRENCHSTOP™ 5 IGBT in a TO-220 package copacked with fast and soft RAPID 1 anti-parallel diode.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Infineon IKP30N65H5XKSA1 IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin 188, Through Hole
188W 1.65V 650V 55A TO-220-3 15.85mm*4.57mm
TO-220-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
Infineon INDUSTRY 14 IKP30N65H5XKSA1
Igbt, Single, 650V, 55A, To-220; Continuous Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:188W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKP30N65H5XKSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current55 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation188 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity500
Power Dissipation188 W
Reverse Recovery Time51 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IKP30N65H5XKSA1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen