STMicroelectronics STGP10M65DF2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-04-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIKP08N65H5XKSA1
650 V, 8 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTGP10NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 20A 65W TO220
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP10NC60HD Series N-Channel 600 V 10 A Very Fast IGBT Flange Mount - TO-220
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 25A 80W TO220
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGP10M65DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pins
IGBT, SINGLE, 650V, 20A, TO-220-3; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.55V; Power Dissipation Pd: 115W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pi
Igbt, Single, 650V, 20A, To-220; Continuous Collector Current:20A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:115W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGP10M65DF2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)650 V
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Forward Current10 A
Forward Voltage1.5 V
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation115 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time96 ns
Schedule B8541290080