Infineon BSC883N03LSGATMA1
$ 0.346
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BSC883N03LSGATMA1 | 48.286 | 21h | |||||||||
| Component Stockers USA | BSC883N03LSG | 627 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-BSC883N03LSGATMA1 | 170.000 | 30 | 22h | ||||||||
| Worldway Electronics | BSC883N03LSGATMA1 | 9.820 | 7 | Tape & Reel | 21h | |||||||
| UnikeyIC | BSC883N03LSGATMA1 | 46.169 | 398 | Cut Tape | 3h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-10-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Verwandte Teile
InfineonBSC034N03LSGATMA1
MOSFET Devices; INFINEON; BSC034N03LSGATMA1; 30 V; 100 A; 20 V; 57 W
InfineonIRFH8318TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH7932TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
onsemiNVTFS4C05NWFTAG
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 102A, 3.6mΩ 1500 / Tape & Reel. Pb-Free, Wettable Flanks
onsemiNVMFS4C05NT1G
Power Field-Effect Transistor, 116A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC883N03LSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 34V 98A 8-Pin TDSON Tube
Avnet Japan
2.5W(Ta),57W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 34V 3.8m¦¸@ 30A,10V 17A,98A 2.8nF@15V TDSON-8-1
Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR;
Mosfet, N-Ch, 34V, 98A, Pg-Tdson-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:98A; Drain Source Voltage Vds:34V; On Resistance Rds(On):0.0032Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC883N03LSGATMA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage34 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.8 mΩ
Rise Time4.4 ns
Threshold Voltage2.2 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time3.3 ns
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