Infineon IRF8734TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF8113GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
VishaySI4168DY-T1-GE3
Si4168DY Series 30 V 24 A 5.7 mOhm Surface Mount P-Channel MOSFET - SOIC-8
VishaySI4172DY-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.012 Ohm 4.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF8734TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 3.5 mOhm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:21A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.8V; Power Dissipation:2.5W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF8734TRPBF.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.175 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.5 mΩ
Resistance3.5 MΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen