Infineon IRFH7932TRPBF
$ 0.491
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRFH7932TRPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.491
$ 0.53
Stock
1,058,656
20,445
Authorized Distributors
5
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
24 A
25 A
Threshold Voltage
1.8 V
1.8 V
Rds On Max
3.3 mΩ
3.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.4 W
3.1 W
Input Capacitance
4.27 nF
4.27 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonBSC034N03LSGATMA1
MOSFET Devices; INFINEON; BSC034N03LSGATMA1; 30 V; 100 A; 20 V; 57 W
InfineonIRFH8324TR2PBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 23A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
InfineonIRFH5301TRPBF
INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH7932TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Transistor MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin QFN T/R
Avnet Japan
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:24mA; On Resistance, Rds(on):0.033ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, N, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:3.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; MSL:MSL 2 - 1 year; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:PQFN; Power Dissipation Pd:3.4W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.3 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.4 W
Rds On Max3.3 mΩ
Rise Time48 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1 mm
Length6.096 mm
Width5.1 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen