Infineon IRFH8318TRPBF
$ 0.347
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFH8318TRPBF | 361 | 10h | |||||||||
| Arrow Electronics | IRFH8318TRPBF | 3.790 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRFH8318TRPBFCT-ND | 14.624 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRFH8318TRPBF | 0 | 4K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | IRFH8318TRPBF | 0 | 4K | 13h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -18.47%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFH8318TRPBF herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRFH8318TRPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFH8324TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH8325TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
InfineonIRFH4226TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 x 6 B package, PG-TDSON-8, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFH8318TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 3.1 mOhm 41 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
Description: Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
MOSFET, N-CH, 30V, 50A, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V; Power Dissipation Pd: 59W; Transistor Case Style: PQFN; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -18.47%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.18 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation59 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.1 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max3.1 mΩ
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFH8318TRPBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen