Infineon BSC196N10NSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC196N10NSGATMA1)
$ 0.542
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
RutronikTMOSP96085.0005K
14h
Rochester ElectronicsBSC196N10NSGATMA144.359
6h
Arrow ElectronicsBSC196N10NSGATMA115.3141
DigiKey
3
BSC196N10NSGATMA1CT-ND5411Cut Tape
FarnellBSC196N10NSGATMA11.7301
6h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSC196N10NSGATMA1 herunter.

IHS

Datasheet10 SeitenVor 15 Jahren

_legacy Avnet

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-3.52%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon BSC196N10NSGATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Verwandte Teile

InfineonIRFR4510TRPBF
TRANSISTOR, HEXFET POWER MOSFET, N-CHANNEL, 100V , 63A, 13.9MOHM MAX, D-PAK
Details
InfineonIRFR4510PBF
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive; Lighting LED
Details
STMicroelectronicsSTD40NF10
N-channel 100 V, 0.025 Ohm, 50 A DPAK low gate charge STripFET(TM) II Power MOSFET
Details
InfineonIRLR3110ZPBF
Single N-Channel 100 V 14 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Details
STMicroelectronicsSTB30NF10T4
N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
Details
onsemiFDD86102
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 36 A, 24 mΩ
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC196N10NSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC196N10NSGATMA1)
Component Sense
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
MOSFET, N CH, 100V, 45A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):16.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:78W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:45A; Power Dissipation Pd:78W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Bilder

Augswan
Newark
RS
TME
LZChips
iiiC
Component Sense
Component Sense

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC196N10NS G
  • BSC196N10NSG
  • BSC196N10NSGXT
  • SP000379604