STMicroelectronics STB30NF10T4
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB30NF10T4 | 971 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STB30NF10T4 | 3.000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB30NF10T4 | 3.000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-6550-1-ND | 12 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB30NF10T4 | 541 | 1 | 19h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
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N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
InfineonIRF540NSPBF
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InfineonIRF540NSTRLPBF
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InfineonIRF540NSTRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
STMicroelectronicsSTB40NF10LT4
N-CHANNEL 100V 0.028 OHM 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB30NF10T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
N-Channel 100 V 0.045 Ohm Surface Mount STripFET II MosFet - D2PAK
STB30NF10T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 35 A, 100 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 100V, 35A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 15A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 115W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 35A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 100V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Mosfet, N Channel, 100V, 35A, D2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:15A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):38Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STB30NF10T4
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.18 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation115 W
Rds On Max52 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant