Infineon BSC0911NDATMA1
$ 0.749
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BSC0911NDATMA1 | 4.875 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BSC0911NDATMA1 | 4.344 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | BSC0911NDATMA1 | 158.112 | 15h | |||||||||
| DigiKey | BSC0911NDATMA1CT-ND | 9.640 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSC0911NDATMA1 | 0 | 5K | Tape & Reel |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-04-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
VishaySIR862DP-T1-GE3
SIR862DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 32 A, 25 V, 8-PIN POWERPAK SO
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC0911NDATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 40A 8-Pin TISON T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Dual N-Channel OptiMOS™ MOSFET
Infineon Dual NMOS, Vds=25 V, 18 A, PG-TISON-8
BSC0911 - 12V-300V N-CHANNEL POW
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 40A, TISON-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 900µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Power Dissipation Pd: 2.5W; Transistor Case Style: TISON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationDual
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
On-State Resistance3.2 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.2 mΩ
Rise Time5.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen